6.6 ENHANCEMENT-TYPE MOSFETs

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Tujuan

2. Komponen

4. Dasar Teori

5. Prinsip Kerja

6. Gambar Rangkaian

7. Video

8. Link Download

                       

1. Tujuan     [kembali]

1. Memahami Prinsip Kerja MOSFET
2. Mengetahui fungsi MOSFET
3. Mampu membuat rangkaian Enhancement-Type MOSFET

2. Komponen [kembali]

    

a. MOSFET

       MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik.

b. Kapasitor

       Kapasitor adalah komponen elektronika yang mempunyai kemampuan menyimpan elektron-elektron selama waktu yang tertentu atau komponen elektronika yang digunakan untuk menyimpan muatan listrik yang terdiri dari dua konduktor dan di pisahkan oleh bahan penyekat (bahan dielektrik) tiap konduktor di sebut keping.

c. Resistor

       Resistor merupakan salah satu komponen elektronika pasif yang berfungsi untuk membatasi arus yang mengalir pada suatu rangkaian dan berfungsi sebagai terminal antara dua komponen elektronika. Tegangan pada suatu resistor sebangding dengan arus yang melewatinya.

3. Dasar Teori      [kembali]

Enhancement-type MOSFET atau eMOSFET, adalah kebalikan dari tipe depletion-mode. Di sini saluran penghantar sedikit di-doping atau bahkan tidak diolah sehingga tidak konduktif. Ini menghasilkan perangkat menjadi kondisi “OFF” (non-conducting) secara normal ketika tegangan Gate bias, VGS sama dengan nol. Simbol sirkuit yang ditunjukkan di atas untuk peningkatan MOS transistor menggunakan garis saluran yang rusak untuk menandakan saluran yang tidak melakukan konduksi terbuka.

Feedback Biasing Arrangement

        Pengaturan bias populer untuk MOSFET enhancment-tipe disediakan pada gambar (i).

Resistor RG membawa tegangan besar yang sesuai ke gerbang untuk menggerakan MOSFET "ON"

karena IG = 0 mA dan VRG = 0 V, jaringan ekuivalen dc dapat dilihat pada gambar (ii).

       Koneksi langsung sekarang ada antara drain dan gate, menghasilkan

VD = VG

VDS = VGS......(1)

                                           

  (i).Feedback biasing arrangement                                             (ii). Jaringan ekivalen DC

Untuk rangkaian output,

VDS = VDD - ID.RD

berikutnya Substitusi ke Persamaan. (1):

VGS = VDD - ID.RD ........(2)

Hasilnya adalah persamaan yang menghubungkan dua variabel yang sama dengan Persamaan. mengizinkan

plot masing-masing pada set sumbu yang sama.

    Sejak Persamaan. (2) adalah garis lurus, prosedur yang sama seperti yang dijelaskan sebelumnya

digunakan untuk menentukan dua titik yang akan menentukan plot pada grafik. Subtitusi

ID = 0 mA ke Persamaan. (2) menghasilkan

VGS = VDD.......(3)

subtitusi VGS = 0 V ke Persamaan. (2), mendapatkan

                                                                 ID = VDD  / RD...........(4)

4. Prinsip Kerja      [kembali]
   

       Prinsip kerja E-MOSFET kanal-N dimulai dengan memberikan tegangan VGS = 0 Volt dan VDS positip. Pemberian tegangan VGS = 0 adalah dengan cara menghubung-singkatkan terminal Gate (G) dan Source (S).

       Oleh karena antara S dan D tidak ada kanal-N (yang mempunyai banyak elektron bebas), maka meskipun VDS diberi tegangan positip yang cukup besar, arus ID tetap tidak mengalir atau ID = 0. Antara source dan drain adalah bahan tipe-P dimana elektron adalah sebagai pembawa minoritas, sehingga saat VGS = 0 dan VDS positip yang mengalir adalah arus bocor saja. Disinilah perbedaannya dengan D-MOSFET yang mengalirkan arus ID pada saat VGS = 0 dan VDS positip.

5. Gambar Rangkaian     [kembali]   

    

6. Video     [kembali]

7. Link Download     [kembali]

    Download HTML     [klik disini]
    Download Datasheet   [klik disini]
    Download Rangkaian    [klik disini]
    Download Video  [klik disini]

                                                                   [menuju awal]